技术规格
光普室设计: 一米焦距,帕邢龙格装置,真空型,恒温控制(38±0.10C),特殊铸铁材料制造,多设置60条通道
试样台: 充氩样品台;内置自循环水冷系统
光栅: 根据分析任务,仪器配置以下三种光栅中的一种 1080gr/mm,1667gr/mm,2160gr/mm
分辨率: 视光栅,出射狭缝和光谱等到级而定
狭缝宽度: 入射狭缝:20um; 出射狭缝:25 , 37.5 , 50 , 75um
光电倍增管: 直经Φ28mm,10级侧窗管,光学玻璃或人造石英窗
光源: 电流控制光源(CCS)
光谱仪控制: 利用CMOS技术的APL MMB386微处理器,带状态控制卡;每条通道均配置数模(A/D)转换器和衰减器分为41档;测量电子部分的动态范围与测量时间成正比,一般为2×106计数/秒
12位可编程衰减器
时间分辨光谱(TRS)
环境要求: 室温:16~300C,较大允许温差为50C/小时;相对湿度20~80%
电力要求: 电压230V( 10%-15%),保护性接地的单相电源
(电压波动超过±10%时需用5KVA稳压器)。电流12A,频率50或60Hz;功率2.5KVA;接地电阻<1Ω
欧洲标准:89/392/EEC低压材料,89/366/EEC电磁
氩气要求: 度99.995%,较大含量5ppm(分析高Si样品时,较大含量为2ppm)
流量3.5升/分(分析时),0.35升/分(待机时)
几何尺寸: 长1385(不计激发台) ×宽910×高1220mm
长1690(计激发台) ×宽910×高1220mm
系统重理: 约540公斤
辅助设备: 氩气净化器 瓶装氩气配气系统 稳压器 制样机
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